在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/27 18:19:48
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E

在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E)自由电子

在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子(简称多子),空穴则为少数载流子(简称少子).
因此答案是E.

E~~~~~~~~~

B

在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E 在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体.A.五价B.四价C.三价 在本征半导体中加入什么元素可行成N刑半导体 在本征半导体中加入( )微量元素可形成N型半导体.A.五价B.四价C.三价 1.半导体的三大特性是光敏性_和_.N型半导体的形成是在本在半导体中掺入_价元素. 在半征半导体中加入五价元素后可以形成什么型半导体?其少是? 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 在本征硅中掺入正三价元素可形成什么型半导体 电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( ) 在纯净半导体中掺入微量5价元素形成()型半导体? 在本征半导体中掺入微量的___价磷元素组成的半导体是___型 要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的三价元素 四价元素 五价元素 六价元素 电工电子技术填空题,谁帮做下1.PN结的基本特性是( )特性.2.半导体中有( )和( )两种载流子,在本征半导体中掺着( )阶元素,可形成P型半导体.3.差分放大电路的基本功能是( ).4 在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么? P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?在本征半导体中每产生一个电了必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴是成对出现的,但在本征半导体硅或锗的晶体管中掺入微量三价元素硼(或镓 在N型硅半导体体中,掺杂的磷元素与硅元素相结合形成共价键,这是不是化学反应 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体?+3价为什么还是负离子? 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成什么型半导体,其多子为什么,少子为什么?